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J-GLOBAL ID：200903098239511258

圧電体薄膜素子、これを用いたアクチュエータ、インクジェット式記録ヘッド、並びに圧電体薄膜素子の製造方法

Inventor： 角 浩二 ,  邱 宏 ,  武井 克守
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997099452
Publication number (International publication number)：1998290033
Application date： Apr. 16, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 圧電体薄膜素子を形成する過程において、圧電体薄膜中の酸素濃度の低下を防ぐことにより、圧電体特性に優れた圧電体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 多結晶体からなる圧電体膜15を挟んで上電極16と下電極14とを形成し、この下電極上に前記圧電体を形成後熱処理する圧電体薄膜の製造方法であって、前記下電極形成後圧電体薄膜形成前に酸素雰囲気下で熱処理する。

Claim (excerpt)：

圧電体膜を挟んで上電極と下電極とを形成するものであって、この下電極上に前記圧電体を形成後熱処理する圧電体薄膜の製造方法において、前記下電極形成後圧電体薄膜形成前に酸素雰囲気下で熱処理することを特徴とする圧電体薄膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16

FI (4)：

H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 Z ,  B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 誘電体キャパシタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-004463   Applicant：ローム株式会社
• 鉛系強誘電体薄膜とその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-119683   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 電子部品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-072677   Applicant：株式会社東芝