Pat

J-GLOBAL ID：200903098329638966

有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 西川 尚男 ,  下田 達也 ,  岩佐 義宏 ,  竹延 大志 ,  小林 慎一郎 ,  三谷 忠興
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (3)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003193110
Publication number (International publication number)：2005032774
Application date： Jul. 07, 2003
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：

【課題】有機半導体薄膜を形成する材料を変更しなくても、容易に閾値電圧を制御できる有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】有機薄膜トランジスタは、ゲート電極12、ゲート絶縁膜14、ソース電極16、ドレイン電極18、有機半導体膜20とを有する有機薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁膜14と有機半導体薄膜20との間に閾値電圧制御膜22を有する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜と、 を有する有機薄膜トランジスタであって、 前記ゲート絶縁膜と前記有機半導体薄膜との間に閾値電圧制御膜を有する、有機薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (3)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/28

F-Term (22)：

5F110AA08 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-055997   Applicant：株式会社日立製作所
• 有機トランジスタの製造方法および有機トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-122623   Applicant：パイオニア株式会社
• 有機半導体素子、その製造方法および有機半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-179468   Applicant：キヤノン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Organic Thin-Film Transistors for Organic Light-Emitting Flat-Panel Display Backplanes