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J-GLOBAL ID：200903098343501930

ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法

Inventor：
高橋 直

About 高橋 直


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001183540
Publication number (International publication number)：2003007712
Application date： Jun. 18, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：
【要約】【課題】 再現性に優れた量産性の高い高性能な高周波用ヘテロ接合トランジスタとその製造方法を提供する。【解決手段】 エミッタメサ12をもつ化合物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタを、ベース層4上に第1エミッタ層5、エミッタエッチング停止層6、第2エミッタ層7を順次堆積して形成する。エミッタメサ12の側壁にサイドウォール絶縁膜13を形成し、このサイドウォール絶縁膜13によってエミッタメサ12とベース電極14を電気的に分離する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にコレクタ層、ベース層、III-V族化合物半導体からなる第1エミッタ層、III-V族化合物半導体からなるエッチング停止層および第2エミッタ層が順次形成され、上記ベース層上に上記第1エミッタ層、エッチング停止層および第2エミッタ層の一部からなるエミッタメサ部が形成され、このエミッタメサ部の全側面に絶縁膜が形成されていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (2)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/737
F-Term (14)：
5F003AP00 ,  5F003AP10 ,  5F003BA01 ,  5F003BA11 ,  5F003BA92 ,  5F003BE00 ,  5F003BE02 ,  5F003BE04 ,  5F003BE08 ,  5F003BF06 ,  5F003BM03 ,  5F003BP11 ,  5F003BP12 ,  5F003BP31
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (8)
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