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J-GLOBAL ID:200903098410772766
ウェハ背面重合体除去方法及びウェハ正面側捕捉プラズマ
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
安齋 嘉章
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008016828
Publication number (International publication number):2008227466
Application date: Jan. 28, 2008
Publication date: Sep. 25, 2008
Summary:
【課題】ワークピースの背面から重合体を除去するための方法を提供する。【解決手段】本方法は背面の周縁環状部を露出した状態で、真空チャンバ内においてワークピースを背面で支持することを含む。本方法は更に、ガス流をチャンバ直径の約1%のワークピース縁部の間隙内にワークピース縁部で閉じ込めることを更に含み、間隙により正面側を含む上方処理ゾーンと背面を含む下方処理ゾーンとの間の境界が規定される。第1プラズマを下方外部チャンバ内において重合体エッチング前駆体ガスから発生させ、エッチャント副生成物を第1プラズマから下方処理ゾーンへと導入する。第2プラズマをエッチャント副生成物の捕捉剤の前駆体ガスから上方外部プラズマチャンバ内で発生させ、捕捉種を第2プラズマから上方処理ゾーンへと導入する。【選択図】図1A
Claim (excerpt):
ワークピースの背面から重合体を除去するための方法であり、
背面の周縁環状部を露出した状態で、前記ワークピースを背面で真空チャンバ内に支持し、
ガス流をチャンバ直径の約1%である前記ワークピースの縁部の間隙内に前記ワークピースの縁部で閉じ込めることを含み、ここで前記間隙は前記正面側を含む上方処理ゾーンと前記背面を含む下方処理ゾーンとの間の境界を規定し、この方法は更に
第1プラズマを下方外部チャンバ内において重合体エッチング前駆体ガスから発生させ、前記第1プラズマからのエッチャント副生成物を前記下方処理ゾーンへと導入し、
第2プラズマをエッチャント副生成物の捕捉剤の前駆体ガスから上方外部プラズマチャンバ内で発生させ、捕捉種を第2プラズマから前記上方処理ゾーンへと導入することを含むワークピースの背面から重合体を除去するための方法。
IPC (3):
H01L 21/306
, G03F 7/42
, H01L 21/027
FI (4):
H01L21/302 106
, H01L21/302 104H
, G03F7/42
, H01L21/30 572A
F-Term (18):
2H096AA25
, 2H096LA07
, 5F004AA14
, 5F004BA03
, 5F004BB17
, 5F004BB18
, 5F004BB20
, 5F004BB26
, 5F004BD01
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DB23
, 5F004DB26
, 5F004DB27
, 5F004EA20
, 5F004EA38
, 5F046MA12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-138519
Applicant:株式会社日立ハイテクノロジーズ
-
ドライエッチング方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-175344
Applicant:株式会社芝浦製作所
-
特開昭60-074626
-
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-068129
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
基板処理方法および基板処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-115306
Applicant:アネルバ株式会社
-
プラズマ処理方法、プラズマ処理装置及び記憶媒体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-279432
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-184581
Applicant:松下電器産業株式会社
-
プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-186725
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-004601
Applicant:株式会社日立製作所
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