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J-GLOBAL ID：200903012435821492

プラズマ処理方法、プラズマ処理装置及び記憶媒体

Inventor：
杉本 勝

About 杉本 勝


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004279432
Publication number (International publication number)：2006093558
Application date： Sep. 27, 2004
Publication date： Apr. 06, 2006
Summary：
【課題】 CF系のガスのプラズマを用いて半導体ウエハ上のSiO2膜やSiOC膜のエッチングを行うと、ウエハの裏面側周縁部及び側端面に、CFXを主成分とするポリマーが付着してしまう。【解決手段】 ウエハ対してエッチングが終了した後、載置台の表面とウエハの裏面との間に供給される伝熱用ガスの供給を停止し、また静電チャックへの電圧の印加を停止した状態で、アッシングを行う。これによりウエハと載置台との伝熱効率が悪くなってウエハの温度が高くなりプラズマとポリマーとの反応が促進され、また伝熱用ガスが停止しかつウエハと載置台との隙間が広がるので、アッシング時のプラズマがウエハの裏面側に回り込み易くなる。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
気密な処理容器内に設けられ、基板よりもサイズが小さい載置台に基板を載置し、この基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、 レジストマスクが表面に形成された基板を載置台に載置し、静電チャックの電源部をオンにして基板を当該載置台に静電吸着させる工程と、 前記載置台の表面と基板の裏面との間に伝熱用ガスを供給することにより基板の熱を載置台側に伝熱させて当該基板を冷却しながら、エッチングガスをプラズマ化したプラズマにより基板の表面をエッチングする工程と、 次いで前記伝熱用ガスの供給を停止する工程と、 その後、酸素を含むアッシングガスをプラズマ化してそのプラズマにより基板上のレジストマスクをアッシングする工程と、 を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (1)：
H01L 21/306
FI (1)：
H01L21/302 104H
F-Term (10)：
5F004AA05 ,  5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BA06 ,  5F004BA09 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (7)
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