細孔を有する構造体及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002134011
Publication number (International publication number)：2003025298
Application date： May. 09, 2002
Publication date： Jan. 29, 2003
Summary：

【要約】【課題】細孔(ナノホール)底部が下地の導電性金属層まで貫通した新規な構造体を提供する。【解決手段】細孔を有する構造体であって、アルミナを含み構成される第1の層15、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、WあるいはSiの少なくとも一つを含有する第2の層13、及び導電性を有する第3の層12をこの順に有し、且つ該第1の層15及び第2の層13は細孔15を有している構造体。前記第1の層はアルミナナノホール層で、第3の層はCu、貴金属、Cuを含む合金、貴金属を含む合金、あるいは半導体材料で構成される。

Claim (excerpt)：

細孔を有する構造体であって、アルミナを含み構成される第1の層、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、WあるいはSiの少なくとも一つを含有する第2の層、及び導電性を有する第3の層をこの順に有し、且つ該第1及び第2の層は細孔を有していることを特徴とする細孔を有する構造体。

IPC (8)：

B82B 1/00 , B81C 5/00 , B82B 3/00 , C25D 11/18 311 , C25D 11/26 , C25D 11/26 301 , C25D 11/26 302 , C25D 11/26 303

FI (8)：

B82B 1/00 , B81C 5/00 , B82B 3/00 , C25D 11/18 311 , C25D 11/26 A , C25D 11/26 301 , C25D 11/26 302 , C25D 11/26 303

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

量子構造の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-207725 Applicant：ソニー株式会社
ナノ構造体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-276427 Applicant：キヤノン株式会社
特開平2-057690

Show all

Return to Previous Page