表面電位測定型センサー装置

Inventor： , , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004237173
Publication number (International publication number)：2006058020
Application date： Aug. 17, 2004
Publication date： Mar. 02, 2006
Summary：

【課題】表面電位計測用の微小電極を用いた簡便にかつ超高感度に被検体中の多成分をセンシングできる表面電位測定型分子センサー装置を提供する。【解決手段】参照電位測定部位と、一種類もしくは複数種のホスト分子がターゲット分子を認識したとき、電位変化をシグナルとして発生させるセンシングユニットと、基板上に結合させるための結合ユニットからなるナノセンサーを基板表面に吸着させたセンサー膜部位、および、電位をモニターするための配線網部位の3要素部位をシリコン基板上に複数配線集積した集積センサー部と、シグナルをコントローラーに送るための被覆導線部と、それを接続するためのアダプター部と、それらがつながる計測コントローラー部からなる表面電位測定型センサー装置。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

参照電位測定部位と、一種類もしくは複数種のホスト分子がターゲット分子を認識したとき、電位変化をシグナルとして発生させるセンシングユニットと、基板上に結合させるための結合ユニットからなるナノセンサーを基板表面に吸着させたセンサー膜部位、および、電位をモニターするための配線網部位の3要素部位をシリコン基板上に複数配線集積した集積センサー部と、シグナルをコントローラーに送るための被覆導線部と、それを接続するためのアダプター部と、それらがつながる計測コントローラー部からなる表面電位測定型センサー装置。

IPC (4)：

G01N 27/416 , C12M 1/00 , G01N 33/53 , C12N 15/09

FI (7)：

G01N27/46 341G , C12M1/00 A , G01N33/53 M , G01N27/46 351A , G01N27/46 361 , G01N27/46 386G , C12N15/00 F

F-Term (18)：

4B024AA11 , 4B024AA19 , 4B024AA20 , 4B024CA01 , 4B024CA11 , 4B024HA14 , 4B029AA07 , 4B029AA21 , 4B029AA23 , 4B029BB01 , 4B029BB15 , 4B029BB20 , 4B029CC01 , 4B029CC03 , 4B029CC08 , 4B029FA01 , 4B029FA12 , 4B029FA15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

表面プラズモン共鳴法用センサーチップ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-358569 Applicant：科学技術振興事業団, 財団法人神奈川科学技術アカデミー
分子検出ナノセンサー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-141741 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (6)

免疫センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-322281 Applicant：株式会社サンギ
細胞外記録用一体化複合電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-213531 Applicant：松下電器産業株式会社
分子ワイヤ注入センサ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-549533 Applicant：キーンセンス・インコーポレーテッド

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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