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J-GLOBAL ID：200903098711516242

超伝導量子干渉計を用いた増幅器における磁気遮蔽装置

Inventor： 池田 時浩 ,  清水 裕彦 ,  佐藤 広海 ,  大谷 航 ,  加藤 博 ,  宮坂 浩正 ,  大谷 知行 ,  川井 和彦 ,  奥 隆之 ,  渡辺 博 ,  瀧澤 慶之 ,  仲川 博 ,  青柳 昌宏 ,  赤穂 博司
Applicant, Patent owner： 工業技術院長 ,  理化学研究所
Agent (2)： 上島 淳一 (外1名) ,  上島 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999057749
Publication number (International publication number)：2000258519
Application date： Mar. 04, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】SQUIDアンプチップを使用する際における種々の条件を満足することのできる超伝導量子干渉計を用いた増幅器における磁気遮蔽装置を提供する。【解決手段】SQUIDアンプチップ22を内部に配置するとともに、ニオブを用いて構成される容器状の超伝導磁気シールド16と、超伝導磁気シールド16を外側から被覆するとともにパーマロイを用いて構成される容器状の外部シールド26とを有する。

Claim (excerpt)：

SQUIDアンプチップを内部に配置するとともに、所定の温度で超伝導になる材料を用いて構成される容器状の第1のシールドと、前記第1のシールドを外側から被覆するとともに、温度に依らず透磁率の高い材料を用いて構成される容器状の第2のシールドとを有する超伝導量子干渉計を用いた増幅器における磁気遮蔽装置。

IPC (4)：

G01R 33/035 ZAA ,  G01R 33/02 ,  H01L 39/22 ZAA ,  H03F 19/00 ZAA

FI (4)：

G01R 33/035 ZAA ,  G01R 33/02 W ,  H01L 39/22 ZAA D ,  H03F 19/00 ZAA

F-Term (7)：

2G017AC01 ,  2G017AD32 ,  4M113AC06 ,  4M113AD45 ,  4M113AD46 ,  4M113AD47 ,  4M113CA13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• ラッチフリーSQUID磁束計
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-053685   Applicant：株式会社超伝導センサ研究所
• SQUID磁束計及びSQUID磁束計の校正方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-161601   Applicant：株式会社超伝導センサ研究所
• 磁束計
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-245102   Applicant：富士通株式会社
• 超伝導デバイス取付けユニット及びそのシステム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-092575   Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (4)

• ラッチフリーSQUID磁束計
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-053685   Applicant：株式会社超伝導センサ研究所
• SQUID磁束計及びSQUID磁束計の校正方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-161601   Applicant：株式会社超伝導センサ研究所
• 磁束計
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-245102   Applicant：富士通株式会社
• 超伝導デバイス取付けユニット及びそのシステム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-092575   Applicant：株式会社日立製作所