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J-GLOBAL ID:200903012494606295
酸化処理方法および酸化処理装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
金坂 憲幸
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998225492
Publication number (International publication number):2000058543
Application date: Aug. 10, 1998
Publication date: Feb. 25, 2000
Summary:
【要約】【課題】 昇温工程での自然酸化膜の形成を十分に抑制することを可能とし、品質の優れた極薄酸化膜を形成することを可能とする。【解決手段】 予め所定の温度に加熱された処理炉内に被処理体を収容し、処理炉内を所定の処理温度まで昇温させ、処理ガスを供給して被処理体を酸化処理する方法において、前記昇温の工程を減圧下で行う。
Claim (excerpt):
予め所定の温度に加熱された処理炉内に被処理体を収容し、処理炉内を所定の処理温度まで昇温させ、処理ガスを供給して被処理体を酸化処理する方法において、前記昇温の工程を減圧下で行うことを特徴とする酸化処理方法。
IPC (2):
FI (2):
H01L 21/316 S
, H01L 21/31 E
F-Term (26):
5F045AA20
, 5F045AB32
, 5F045AB34
, 5F045AC11
, 5F045AC13
, 5F045AC15
, 5F045AD12
, 5F045AE25
, 5F045AF03
, 5F045BB02
, 5F045BB08
, 5F045DP19
, 5F045EB12
, 5F045EB14
, 5F045EB17
, 5F045EE14
, 5F045EE18
, 5F045EG03
, 5F058BA06
, 5F058BC02
, 5F058BF55
, 5F058BF60
, 5F058BF63
, 5F058BF68
, 5F058BH20
, 5F058BJ01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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熱酸化膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-196099
Applicant:日本真空技術株式会社
-
絶縁膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-323129
Applicant:沖電気工業株式会社
-
酸化膜の作製方法及び酸化膜の作製装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-291764
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体ウエハの処理装置及びそれを用いた半導体ウエハの処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-303348
Applicant:株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-012107
Applicant:ソニー株式会社
-
熱処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-051970
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
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Cited by examiner (4)
-
熱酸化膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-196099
Applicant:日本真空技術株式会社
-
絶縁膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-323129
Applicant:沖電気工業株式会社
-
酸化膜の作製方法及び酸化膜の作製装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-291764
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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