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J-GLOBAL ID：200903098834827498

プラズマ処理方法および装置

Inventor：
安井 尚輝

About 安井 尚輝

, 
角屋 誠浩

About 角屋 誠浩

, 
渡辺 成一

About 渡辺 成一


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001004371
Publication number (International publication number)：2002208587
Application date： Jan. 12, 2001
Publication date： Jul. 26, 2002
Summary：
【要約】【課題】チャージングダメージを抑制し、半導体デバイスの歩留まりを高め、高精度な表面処理を可能とする。【解決手段】処理室105内に、基板電極115を設けて、基板電極115に電力を印加することなくプラズマを生成する電磁波を与える第1の高周波電源と、基板電極115に接続される基板バイアス電圧を印加する第2の高周波電源とからなる装置とし、基板電極115外周部のプラズマ電位を被処理材116上のプラズマ電位よりも高くする。
Claim (excerpt)：
処理ガスが供給され内部が所定圧力に減圧排気された処理室内にプラズマを生成するとともに、前記処理室内に設けられた基板電極にバイアス電圧を印加し、前記プラズマの生成とは独立に前記プラズマ中のイオンの被処理材への入射エネルギを制御し、前記被処理材を処理するプラズマ処理方法において、前記基板電極外周部のプラズマ電位を前記被処理材上のプラズマ電位よりも高くし、前記被処理材を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4)：
H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/52 ,  H05H 1/46
FI (4)：
B01J 19/08 H ,  C23C 16/52 ,  H05H 1/46 C ,  H01L 21/302 B
F-Term (39)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA62 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA25 ,  4G075CA26 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075EB01 ,  4G075EB41 ,  4G075EC21 ,  4G075FC11 ,  4G075FC15 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA02 ,  4K030FA04 ,  4K030HA16 ,  4K030JA16 ,  4K030JA17 ,  4K030JA18 ,  4K030JA19 ,  4K030KA15 ,  4K030KA19 ,  4K030KA20 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  5F004AA01 ,  5F004AA06 ,  5F004BA14 ,  5F004BB07 ,  5F004BB11 ,  5F004BB14 ,  5F004BB23 ,  5F004BB32 ,  5F004BD01 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
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