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J-GLOBAL ID：200903063546137608

プラズマプロセス装置

Inventor： 大見 忠弘 ,  新田 雄久 ,  平山 昌樹 ,  海原 竜 ,  伊野 和英
Applicant, Patent owner： 大見 忠弘 ,  株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998210136
Publication number (International publication number)：2000040695
Application date： Jul. 24, 1998
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 被処理基体上の圧力分布を均一に保ったまま、磁場の印加手段を回転させることなく基体表面に対する生成プラズマ密度の均一化及びセルフバイアス電位の均一化を図ることが可能となり、基体に対して均一且つチャージアップダメージのないエッチングプロセスが可能なプラズマエッチング装置及び基体に対して均一且つ応力の発生しないスパッタリング装置を提供すること。【解決手段】 本発明のプラズマプロセス装置は、平行平板型の2つの電極I102およびII105を備え、プラズマ処理が行われる面に対して水平でかつ一方向性を有する磁場の印加手段110を設けたプラズマプロセス装置において、一方の電極の外周部に補助電極107を設置しており、前記補助電極107が他方の電極と対向する面と反対側にプラズマを励起可能な空間111が設けられており、前記補助電極107に高周波を印加する手段109を有していることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

平行平板型の2つの電極IおよびIIを備え、プラズマ処理が行われる面に対して水平でかつ一方向性を有する磁場の印加手段を設けたプラズマプロセス装置において、一方の電極の外周部に補助電極を設置しており、前記補助電極が他方の電極と対向する面と反対側にプラズマを励起可能な空間が設けられており、前記補助電極に高周波を印加する手段を有していることを特徴とするプラズマプロセス装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 G ,  H01L 21/203 S ,  H05H 1/46 M

F-Term (31)：

4K057DA16 ,  4K057DB06 ,  4K057DB15 ,  4K057DB20 ,  4K057DD01 ,  4K057DE14 ,  4K057DM02 ,  4K057DM09 ,  4K057DM18 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004AA06 ,  5F004BA05 ,  5F004BA08 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BD05 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F103AA08 ,  5F103AA10 ,  5F103BB09 ,  5F103BB23 ,  5F103BB51 ,  5F103BB56 ,  5F103RR10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• マグネトロンプラズマ用磁場発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-310416   Applicant：信越化学工業株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-264821   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 信越化学工業株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-215172   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 信越化学工業株式会社
• スパッタ装置及びスパッタ方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-137585   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-279044
  
• 基板載置台、プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-337110   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (3)

• マグネトロンプラズマ用磁場発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-310416   Applicant：信越化学工業株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-264821   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 信越化学工業株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-215172   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 信越化学工業株式会社