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J-GLOBAL ID：200903029333543684

プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の制御方法

Inventor：
池川 正人

About 池川 正人

, 
高橋 主人

About 高橋 主人


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999142805
Publication number (International publication number)：2000332000
Application date： May. 24, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】半導体素子のエッチングにおいては、基板内で被エッチング膜、下地膜やレジストのエッチング速度分布及び、下地膜やレジストとの高い選択比とこの選択比の基板面内での高い均一性が要求される。【解決手段】プラズマ生成ガスの噴出穴を複数備えたシャワー板と排気口と、処理する基板を置く台を有するプラズマ生成装置において、前記シャワー板と前記基板との距離を30mm以上で該被加工試料の最大直径の半分以下に設定し、前記ガス供給口の有効直径の大きさが基板の直径の30〜85%であるようにした。【効果】半導体素子のエッチングにおいて、基板内で被エッチング膜、下地膜やレジストのエッチング速度分布及び、下地膜やレジストとの高い選択比とこの選択比の基板面内での高い均一性が得られる。
Claim (excerpt)：
原料ガスを供給する手段と、真空排気手段と、該原料ガスをプラズマ化する手段と、被加工試料の設置手段とを具備し、被加工試料への高周波電力印加手段を有する真空容器内で、該原料ガスをプラズマ化し該被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、第1板と平行に対向して配置した第2板との間でプラズマを生成させ、第2板に該被加工試料を設置し、該第1板と該被加工試料との間隔を30mm以上で該被加工試料の最大直径の半分以下に設定し、該第1板に該原料ガスを供給する複数の穴からなるガス供給口を設け、前記ガス供給口の有効直径の大きさが該被加工試料の最大直径の30〜85%であることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L 21/302 B ,  H01L 21/205
F-Term (39)：
5F004AA01 ,  5F004AA02 ,  5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB07 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB09 ,  5F004DB10 ,  5F045AA08 ,  5F045AA10 ,  5F045BB01 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EC05 ,  5F045EE20 ,  5F045EF05 ,  5F045EH02 ,  5F045EH06 ,  5F045EH11 ,  5F045EH12 ,  5F045EH13 ,  5F045EH16 ,  5F045EH17 ,  5F045EH19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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