Pat
J-GLOBAL ID：200903099121821674

半導体装置の製造方法

Inventor：
槇田 毅彦

About 槇田 毅彦

, 
戸田 典彦

About 戸田 典彦


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004339952
Publication number (International publication number)：2006156429
Application date： Nov. 25, 2004
Publication date： Jun. 15, 2006
Summary：
【課題】AlGaN層の表面を平坦とし、かつ、AlGaN/GaN界面に存在する二次元電子ガスにダメージを与えない半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】先ず、サファイア又は炭化珪素で形成される支持基板12を用意して、支持基板上にバッファ層14を堆積させる。次に、支持基板及びバッファ層を900°C以上1100°C以下に設定された成長温度に保持した状態で、バッファ層上に、GaN層16及びAlGaN層20を順次に積層してGaN半導体基板10を形成する。GaN半導体基板を形成する工程に引き続いて、GaN半導体基板を500°C以上成長温度以下の温度に保持した状態で、AlGaN層の上側表面28上に、表面保護膜としてAlN層30を形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
サファイア又は炭化珪素で形成される支持基板を用意する工程と、 前記支持基板上にバッファ層を堆積させる工程と、 前記支持基板及び前記バッファ層を900°C以上1100°C以下に設定された成長温度に保持した状態で、前記バッファ層上に、GaN層及びAlGaN層を順次に積層してGaN半導体基板を形成する工程と、 前記GaN半導体基板を形成する工程に引き続いて、前記GaN半導体基板を500°C以上前記成長温度以下の温度に保持した状態で、前記AlGaN層の上側表面上に、表面保護膜としてAlN層を形成する工程と を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/283
FI (4)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/283 C
F-Term (54)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD09 ,  4M104DD15 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104FF17 ,  4M104GG08 ,  4M104GG12 ,  4M104HH12 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB13 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA61 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GT10 ,  5F102GV05 ,  5F102GV09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21 ,  5F102HC27
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM