III族窒化物半導体を有する半導体素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004003368
Publication number (International publication number)：2004260140
Application date： Jan. 08, 2004
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：

【課題】 III族窒化物半導体を有する半導体素子の耐圧を高くすること。【解決手段】半導体素子は、AlGaNで構成された第1層32と、GaNで構成された第2層42と、ゲート電極34と、ソース電極38と、ドレイン電極28を有する。第1層32は、ゲート電極34と第2層42の間に形成された領域32aを有する。第1層32と第2層42の境界部24付近にチャネルが形成される。第2層42の導電型はp型であり、p型不純物であるMgがドーピングされている。第2層42は、ソース電極38に接している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

III族窒化物半導体で構成された第1層と、III族窒化物半導体で構成された第2層と、ゲート電極を有し、第1層は、ゲート電極と第2層の間に形成された領域を有し、 (1)第1層、(2)第2層、(3)第1層と第2層の間の領域の少なくともいずれかにチャネルが形成され、第2層の導電型は、チャネルを流れるキャリアの導電型と逆の導電型である半導体素子。

IPC (1)：

H01L29/78

FI (4)：

H01L29/78 301B , H01L29/78 652E , H01L29/78 652T , H01L29/78 653A

F-Term (24)：

5F140AA25 , 5F140AA30 , 5F140AC23 , 5F140BA00 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BB06 , 5F140BB19 , 5F140BC12 , 5F140BD04 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BH21 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

電界効果型トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-225077 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (9)

III-V族材料系のハイブリッドバイポーラ・電界効果電力トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-325114 Applicant：ヒューズ・エアクラフト・カンパニー
電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-347634 Applicant：日本電気株式会社
電界効果型トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-225077 Applicant：ソニー株式会社

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