半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：小川勝男 , 田中恭助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003424301
Publication number (International publication number)：2005183766
Application date： Dec. 22, 2003
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：

【課題】低誘電率膜と保護絶縁膜の両方について比誘電率及びリーク電流を低減することが可能な、保護絶縁膜の形成方法。【解決手段】低誘電率膜の上に、SiC系保護絶縁膜とSiO系保護絶縁膜をこの順番に形成することにより、低誘電率膜と保護絶縁膜の比誘電率及びリーク電流を低減できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体素子と配線を含む基板と、この基板上に形成された比誘電率が3以下の低誘電率膜と、前記低誘電率膜の上に形成された酸素原子濃度及び窒素原子濃度がそれぞれ10%未満の第1の保護絶縁膜と、前記第1の保護絶縁膜の上に形成された酸素原子濃度が10%以上の第2の保護絶縁膜と、前記低誘電率膜と第1の保護絶縁膜と第2の保護絶縁膜から成る積層構造に形成された溝あるいは孔と、前記溝あるいは孔に埋め込まれた金属膜と、前記金属膜と第2の保護絶縁膜の上に形成されたバリア絶縁膜とを、少なくとも有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L21/768 , H01L21/312

FI (3)：

H01L21/90 M , H01L21/312 N , H01L21/90 A

F-Term (80)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033SS02 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033WW00 , 5F033WW02 , 5F033WW04 , 5F033XX00 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX24 , 5F033XX28 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AC10 , 5F058AD05 , 5F058AD09 , 5F058AD10 , 5F058AD11 , 5F058AD12 , 5F058AF04 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BC20 , 5F058BD04 , 5F058BD06 , 5F058BD10 , 5F058BD18 , 5F058BD19 , 5F058BF07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-348736 Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-135301 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-094351 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマエッチング法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-230753 Applicant：ソニー株式会社

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