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J-GLOBAL ID：200903037592608436

半導体装置の製造方法

Inventor：
野口 純司

About 野口 純司

, 
丸山 裕之

About 丸山 裕之

, 
前川 厚志

About 前川 厚志


Applicant, Patent owner：
株式会社ルネサステクノロジ

About 株式会社ルネサステクノロジ

, 
株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

About 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ


Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002274884
Publication number (International publication number)：2004111795
Application date： Sep. 20, 2002
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：
【課題】配線溝の上端角部が削れることなく埋込み配線を形成する。【解決手段】下層配線としての配線20が埋め込まれた絶縁膜上に、低誘電率材料からなる絶縁膜22および25を含む絶縁膜21〜28を形成する。絶縁膜28上に第1フォトレジストパターンを形成し、絶縁膜25〜28を選択的に除去してビア用の開口部30を形成する。絶縁膜28上に第2フォトレジストパターンを形成し、絶縁膜28を選択的に除去して開口部30を含む領域に配線溝用の開口部32を形成する。開口部32から露出する絶縁膜26および27と、開口部30から露出する絶縁膜23および24とを除去する。それから、開口部32から露出する絶縁膜25と、開口部30から露出する絶縁膜22とを除去する。絶縁膜28と、開口部30の底部で露出する絶縁膜21を除去した後、開口部30および32内に銅配線を形成する。【選択図】 図15
Claim (excerpt)：
以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法; (a)半導体基板を準備する工程、 (b)前記半導体基板上に第1絶縁膜を形成する工程、 (c)前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成する工程、 (d)前記第2絶縁膜上に第3絶縁膜を形成する工程、 (e)前記第3絶縁膜上に第4絶縁膜を形成する工程、 (f)前記第4絶縁膜上に第5絶縁膜を形成する工程、 (g)前記第5絶縁膜を選択的に除去して第1開口部を形成する工程、 (h)前記第1開口部から露出する前記第4絶縁膜を除去する工程、 (i)前記第5絶縁膜を選択的に除去して、前記第1開口部を含む領域に第2開口部を形成する工程、 (j)前記第1開口部から露出する前記第3絶縁膜を除去する工程、 (k)前記第1開口部から露出する前記第2絶縁膜と前記第2開口部から露出する前記第4絶縁膜とを除去する工程、 (l)前記第1開口部および第2開口部内に第1配線を形成する工程。
IPC (2)：
H01L21/3205 ,  H01L21/768
FI (2)：
H01L21/88 K ,  H01L21/90 J
F-Term (69)：
5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH23 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK30 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS01 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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