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J-GLOBAL ID：200903099151490907

多接合太陽電池における変成層

Inventor：
アーサー コーンフェルド

About アーサー コーンフェルド

, 
マーク エイ スタン

About マーク エイ スタン


Applicant, Patent owner：
エムコア・コーポレイション

About エムコア・コーポレイション


Agent (4)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007041930
Publication number (International publication number)：2007324563
Application date： Feb. 22, 2007
Publication date： Dec. 13, 2007
Summary：
【課題】変成層を有する多接合太陽電池を含む集積半導体構造を提供する。【解決手段】半導体材料のエピタキシャル成長のための第1の基板を準備する段階と、基板上に第1のバンドギャップを有する第1の太陽電池サブセルを形成する段階と、第1のサブセルの上に第1のバンドギャップよりも小さい第2のバンドギャップを有する第2の太陽電池サブセルを形成する段階と、第2のサブセルの上に第2のバンドギャップよりも大きい第3のバンドギャップを有する漸変中間層を形成する段階と、第2のバンドギャップよりも小さい第4のバンドギャップを有する第3の太陽電池サブセルを形成し、そのために第3のサブセルが第2のサブセルに対して格子不整合であるようにする段階とを含む、上部サブセル、中間サブセル、及び下部サブセルを含む多接合太陽電池を形成する方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
上部サブセル、中間サブセル、及び下部サブセルを含む多接合太陽電池を形成する方法であって、 半導体材料のエピタキシャル成長のための第1の基板を準備する段階と、 前記基板上に第1のバンドギャップを有する第1の太陽電池サブセルを形成する段階と、 前記第1のサブセルの上に前記第1のバンドギャップよりも小さい第2のバンドギャップを有する第2の太陽電池サブセルを形成する段階と、 前記第2のサブセルの上に前記第2のバンドギャップよりも大きい第3のバンドギャップを有する漸変中間層を形成する段階と、 前記漸変中間層の上に前記第2のバンドギャップよりも小さい第4のバンドギャップを有する第3の太陽電池サブセルを形成し、そのために該第3のサブセルが前記第2のサブセルに対して格子不整合であるようにする段階と、 を含むことを特徴とする方法。
IPC (1)：
H01L 31/04
FI (1)：
H01L31/04 Y
F-Term (3)：
5F051AA08 ,  5F051DA19 ,  5F051GA04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 米国特許第6,951,819号
Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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