Pat
J-GLOBAL ID:200903099239639650
多官能化電解質及びこれを用いた電気化学デバイス並びに多官能化電解質の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
上野 登
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002017362
Publication number (International publication number):2002324559
Application date: Jan. 25, 2002
Publication date: Nov. 08, 2002
Summary:
【要約】【課題】 耐熱性、強度及び電気伝導性に優れた多官能化電解質及びその製造方法を提供すること。また、過酷な条件下で使用される場合であっても高い性能を発揮する電気化学デバイスを提供すること。【解決手段】 多官能化電解質20は、1又は2以上の末端酸基、並びに、1又は2以上の中間酸基及び/又は変性酸基を有する多官能側鎖22、24を備えている。中間酸基は、ビススルホニルイミド基、スルホニルカルボニルイミド基又はビスカルボニルイミド基が好ましく、末端酸基は、スルホン酸基、カルボン酸基又はホスホン酸基が好ましい。また、多官能化電解質は、さらに酸性架橋基を介して架橋されていることが好ましい。このような多官能化電解質は、官能基Aを備えた固体高分子化合物と官能基B及び官能基Cを備えた変性剤とを反応させることにより得られる。
Claim (excerpt):
側鎖を有する固体高分子化合物と、前記側鎖の末端にある1又は2以上の末端酸基と、該末端酸基がある側鎖と同一の側鎖内にある1又は2以上の中間酸基及び/又は変性酸基とを備えた多官能化電解質。
IPC (9):
H01M 8/02
, C08F 8/18
, C08F 8/34
, C08F 8/38
, C08F 14/18
, C25B 13/08 302
, H01B 1/06
, H01B 13/00
, H01M 8/10
FI (9):
H01M 8/02 P
, C08F 8/18
, C08F 8/34
, C08F 8/38
, C08F 14/18
, C25B 13/08 302
, H01B 1/06 A
, H01B 13/00 Z
, H01M 8/10
F-Term (29):
4J100AC25P
, 4J100AC26P
, 4J100BA28Q
, 4J100BA57P
, 4J100BA58Q
, 4J100BA59Q
, 4J100BB07P
, 4J100BB12P
, 4J100CA03
, 4J100CA31
, 4J100DA47
, 4J100DA55
, 4J100GC04
, 4J100HA25
, 4J100HA55
, 4J100HC04
, 4J100HC71
, 4J100HE05
, 4J100HE14
, 4J100HG07
, 4J100JA43
, 4J100JA45
, 5G301CA06
, 5G301CA08
, 5G301CD01
, 5G301CE10
, 5H026AA06
, 5H026CX05
, 5H026EE19
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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高耐熱性高分子電解質
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-363934
Applicant:株式会社豊田中央研究所
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高分子電解質膜およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-142226
Applicant:ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
-
燃料電池用新規高分子電解質
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-156944
Applicant:旭化成工業株式会社
-
架橋イオン伝導性膜
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-550588
Applicant:ミネソタマイニングアンドマニュファクチャリングカンパニー
-
架橋したスルホン化ポリマーおよびその製造法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平11-538749
Applicant:ハイドロ-ケベック
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