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J-GLOBAL ID:200903099482848305

CdTe/CdS薄膜太陽電池を大規模に生産する方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  安藤 克則 ,  高松 武生
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2003535266
Publication number (International publication number):2005505938
Application date: Oct. 04, 2002
Publication date: Feb. 24, 2005
Summary:
CdTe/CdS薄膜太陽電池を大規模に生産する方法であって、前記薄膜は透明基板上に順次堆積されるものであって、ステップ:前記基板上に透明導電酸化物(TCO)の薄膜を堆積させるステップ;前記TCO薄膜上にCdS薄膜を堆積させるステップ;前記CdS薄膜上にCdTe薄膜を堆積させるステップ;前記CdTe薄膜をCdCl2で処理するステップ;前記処理したCdTe薄膜上にバック接触薄膜を堆積させるステップを含む方法である。CdCl2によるCdTe薄膜の処理は、以下のステップ:基板を常温に保ちながら、CdTe薄膜上にCdCl2層を蒸発により形成するステップ;減圧室内で不活性ガス雰囲気下、380〜420°C及び300〜1000mbarで前記CdCl2層をアニールするステップ;前記室から不活性ガスを除去して減圧条件を作成し、一方で基板を350〜420°Cの温度に保持して、それによってCdTe薄膜表面から全ての残留CdCl2を蒸発させるステップを含む。
Claim (excerpt):
CdTe/CdS薄膜太陽電池を大規模に生産する方法であって、前記薄膜は透明基板上に順次堆積されるものであって、 前記基板上に透明導電酸化物(TCO)の薄膜を堆積させるステップ、 前記TCO薄膜上にCdS薄膜を堆積させるステップ、 前記CdS薄膜上にCdTe薄膜を堆積させるステップ、 前記CdTe薄膜をCdCl2で処理するステップ、と 前記処理したCdTe薄膜上にバック接触薄膜を堆積させるステップを含む方法であって、 CdCl2によるCdTe薄膜の処理が、 基板を常温に保ちながら、CdTe薄膜上にCdCl2層を蒸発により形成するステップ、 減圧室内で不活性ガス雰囲気下、380〜420°C及び300〜1000mbarで前記CdCl2層をアニールするステップ、と 前記室から不活性ガスを除去して減圧条件を作成し、一方で基板を350〜420°Cの温度に保持して、それによってCdTe薄膜表面から全ての残留CdCl2を蒸発させるステップを含むことを特徴とする方法。
IPC (6):
H01L31/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  H01L21/20 ,  H01L21/363 ,  H01L21/477
FI (6):
H01L31/04 E ,  C23C14/06 P ,  C23C14/58 A ,  H01L21/20 ,  H01L21/363 ,  H01L21/477
F-Term (40):
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA11 ,  4K029BA41 ,  4K029BA45 ,  4K029BA51 ,  4K029BB02 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  4K029GA00 ,  4K029GA01 ,  5F051AA09 ,  5F051BA14 ,  5F051CA13 ,  5F051CA32 ,  5F051DA03 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03 ,  5F052AA11 ,  5F052DA06 ,  5F052DB07 ,  5F052JA09 ,  5F103AA01 ,  5F103DD21 ,  5F103GG02 ,  5F103HH03 ,  5F103LL04 ,  5F103PP03 ,  5F103PP14 ,  5F103RR06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 太陽電池の製造法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-235508   Applicant:松下電器産業株式会社
  • 太陽電池の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平11-188107   Applicant:松下電池工業株式会社
  • 太陽電池の製造法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-221302   Applicant:松下電器産業株式会社
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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