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J-GLOBAL ID：200903099514779076

シリコンオンインシュレータトランジスタ

Inventor： 沈 載勳
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 服部 雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995044256
Publication number (International publication number)：1995335888
Application date： Mar. 03, 1995
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 バイポーラ誘導ブレークダウン現象を防止したSOIトランジスタを提供する。【構成】 シリコン基板100上に形成された埋没絶縁層102の上には、第1シリコン領域108c、Si1-x Gex 領域108bおよび第2シリコン領域108aのヘテロ構造体からなるソース領域108および第1シリコン領域110c、Si1-x Gex 領域110bおよび第2シリコン領域110aのヘテロ構造体からなるドレイン領域110がチャネル領域112を介して形成されている。Si1-x Gex 領域108bまたはSi1-x Gex 領域110bによりソースおよびドレイン電位障壁の高さが低くなるので、強い電界により発生した正孔は、Si1-x Gex 領域108bまたはSi1-x Gex 領域110bに吸収される。正孔がチャネル領域112に累積されないので、バイポーラ誘導ブレークダウン現象が防止される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁層を介して形成され、トランジスタの第1不純物領域および第2不純物領域とチャネル領域とを含むシリコン層を有するシリコンオンインシュレータトランジスタにおいて、前記トランジスタの前記第1不純物領域は、相異なる少なくとも二種の伝導体からなることを特徴とするシリコンオンインシュレータトランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-000324   Applicant：株式会社東芝
• 電界効果型トランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-169721   Applicant：三菱電機株式会社
• MIS型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-305712   Applicant：キヤノン株式会社