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J-GLOBAL ID：200903099564189601

半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置

Inventor：
林 久雄

About 林 久雄


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998044909
Publication number (International publication number)：1999243057
Application date： Feb. 26, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：
【要約】【課題】 レーザービームの照射による結晶化に際してのレーザービームの出力不良等に起因して、1つの半導体素子列の素子特性が他の半導体素子列のそれに対して低下した状態にならないようにする。【解決手段】 基板1上に形成された非晶質シリコン層(非単結晶の半導体層)に、照射スポット21の形状が直線状のレーザービーム20を照射して結晶化する工程を有し、この工程にて結晶化した多結晶シリコン層を備えたTFT(半導体素子)を基板1の縦横それぞれに所定間隔で形成して縦方向のTFT列と横方向のTFT列とを得る半導体装置の製造方法において、上記結晶化する工程では、基板1に形成する縦方向のTFT列もしくは横方向のTFT列に対して、直線状の照射スポット21が斜めに傾むくようにレーザービーム20を照射する。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された非単結晶の半導体層に、照射スポットの形状が直線状のレーザービームを照射して結晶化する工程を有し、該工程にて結晶化した半導体層を備えた半導体素子を前記基板の縦横それぞれに所定間隔で形成して縦方向の半導体素子列と横方向の半導体素子列とを得る半導体装置の製造方法において、前記結晶化する工程では、前記基板に形成する縦方向の半導体素子列もしくは横方向の半導体素子列に対して、前記直線状の照射スポットが斜めに傾むくようにレーザービームを照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 J ,  H01L 29/78 627 G
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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