Pat
J-GLOBAL ID:200903049026145699
レーザー照射装置およびレーザー照射方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997061781
Publication number (International publication number):1998242073
Application date: Feb. 28, 1997
Publication date: Sep. 11, 1998
Summary:
【要約】【課題】 線状のレーザー光を走査して照射した場合における照射むらを抑制する。【解決手段】 線状のレーザーパルスを斜めに走査して照射する。こうした場合、線状レーザービームの長手方向に周期的に存在するピークが重ならずに照射が行われるので、照射むらを抑制することができる。
Claim (excerpt):
レーザビームを分割、再結合させて形成するレーザービーム発生手段と、前記分割された方向に直角な方向に対して、所定の角度θ(θ≠0°)を有した方向にレーザービームを走査して照射する手段と、を有し、前記レーザービームは、パルス発振型であり、前記レーザービームのパルスは、被照射領域において、一部が重ねられて照射されることを特徴とするレーザ照射装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
-
特開平4-082213
-
レーザーアニール法及び液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-009369
Applicant:松下電器産業株式会社
-
レーザー処理方法及びレーザー処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-158848
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-139206
Applicant:三洋電機株式会社
-
レーザを用いた表面処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-335353
Applicant:セイコー電子工業株式会社
-
液晶表示装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-330560
Applicant:株式会社東芝
-
半導体装置の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-093369
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
Show all
Return to Previous Page