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J-GLOBAL ID：200903036968645129

発光素子の製造方法及び発光素子

Inventor：
篠原 政幸

About 篠原 政幸

, 
山田 雅人

About 山田 雅人


Applicant, Patent owner：
信越半導体株式会社

About 信越半導体株式会社


Agent (1)： 菅原 正倫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003137052
Publication number (International publication number)：2004128452
Application date： May. 15, 2003
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：
【課題】導電型がn型とされる電流拡散層を効率よく形成できる発光素子の製造方法を提供することを第一の課題とし、n型とされる電流拡散層を用いつつも、素子ライフを向上可能な発光素子を提供することを第二の課題とする。【解決手段】発光素子100を製造するに際し、単結晶基板上1に、それぞれIII-V族化合物半導体からなる発光層部24と電流拡散層7とを形成する。発光層部24は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部24の上に導電型がn型とされる電流拡散層7をハイドライド気相成長法により形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
単結晶基板上に、それぞれIII-V族化合物半導体からなる発光層部と電流拡散層とを形成し、前記発光層部に発光駆動電圧を印加するための電極を形成する発光素子の製造方法において、 前記単結晶基板上に前記発光層部を有機金属気相成長法により形成する第一の気相成長工程と、 該第一の気相成長工程の後に、前記有機金属気相成長法とは異なるハイドライド気相成長法により、前記電流拡散層をn型半導体層として形成する第二の気相成長工程と を有することを特徴とする発光素子の製造方法。
IPC (1)：
H01L33/00
FI (1)：
H01L33/00 E
F-Term (12)：
5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA93 ,  5F041CB03 ,  5F041CB15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
  • AlGaInP発光ダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-342409   Applicant：昭和電工株式会社
  • 発光ダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-218470   Applicant：三菱化学株式会社
  • AlGaInP発光ダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-183068   Applicant：昭和電工株式会社
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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