半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000179591
Publication number (International publication number)：2001358364
Application date： Jun. 15, 2000
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】光取り出し効率を向上させる。【解決手段】透光性を有する半導体基板100、この半導体基板100上に、半導体基板100に対して格子整合したバッファ層101、バッファ層101上に形成された発光層104、バッファ層101上に配置された第1電極107、発光層104上に配置された第2電極108を備え、発光層104から出射された光を透光性を有する基板100側から取り出すことで、光取り出し効率が向上する。

Claim (excerpt)：

透光性を有する半導体基板と、前記半導体基板上に、前記半導体基板に対して格子整合したバッファ層と、前記バッファ層上に形成された発光層と、前記バッファ層上に配置された第1の電極と、前記発光層上に配置され、光反射性を有する第2の電極と、を備えることを特徴とする半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 A , H01L 33/00 C

F-Term (15)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA34 , 5F041CA37 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CB15 , 5F041CB27 , 5F041CB28 , 5F041CB29 , 5F041EE22 , 5F041EE23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

半導体発光デバイスおよび半導体発光デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-141793 Applicant：野田進, 科学技術振興事業団, 住友電気工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-036618 Applicant：豊田合成株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-284144 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

2次元フォトニックバンド構造内蔵面発光レーザ

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