半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：村井卓雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996077535
Publication number (International publication number)：1996330245
Application date： Mar. 29, 1996
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】ホットウォール型加熱炉内で半導体ウェーハを処理する際の面内均一性を高めるとともに装置の長さ・高さの増大を抑える。【構成】蓄熱板10を予め熱処理温度に加熱し、その後1枚もしくは2枚のウェーハ8を蓄熱板10の対向面間にて蓄熱板10と対向させて熱処理する。

Claim (excerpt)：

ホットウォール型加熱炉内にて対向配列された1枚又は複数枚のウェーハを熱処理する半導体装置の製造方法において、複数の対向蓄熱板を予め熱処理温度に加熱し、その後、1枚もしくは2枚のウェーハを前記蓄熱板の対向面間にて該蓄熱板と対向させ前記熱処理温度にて熱処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/22 511 , H01L 21/205 , H01L 21/324

FI (3)：

H01L 21/22 511 A , H01L 21/205 , H01L 21/324 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭64-071118
特開平2-216820
特公昭50-004431

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