Pat

J-GLOBAL ID：200903099585800157

半導体発光装置とその製造方法

Inventor： 玉村 好司 ,  河角 孝行 ,  平田 照二
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997016536
Publication number (International publication number)：1998215033
Application date： Jan. 30, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 動作電流等の静特性に優れた、長寿命の半導体発光装置とその製造方法を提供するものである。【解決手段】 n型GaAs基板1上に0.3μm厚のn型GaAsバッファ層2と、1μm厚のn型AlGaInPクラッド層3と、GaInP/AlGaInPMQW構造の活性層4を順次成長させる。つぎに、活性層4の上にV/III比を下げた50nm厚のキャリア拡散抑制層9を成長させ、その上に1μm厚のp型AlGaInPクラッド層5と、0.1μm厚のp型GaInP層6と、0.3μm厚のp型GaAs電流キャップ層7を順次成長させる。その後、p型AlGaInPクラッド層5とp型GaInP層6およびp型GaAs電流キャップ層7を選択的にエッチングしてメサ構造を形成し、その後、n型GaAs電流ブロック層8をメサ構造の両側に成長させて積層し、半導体発光装置100を形成する。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に、少なくとも第1導電型のクラッド層と、活性層と、第2導電型のクラッド層とを有する積層半導体層が形成され、該積層半導体層の少なくとも一部に導電をなすキャリアの拡散を抑制するキャリア拡散抑制層が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-094239   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-228286   Applicant：信越半導体株式会社
• 半導体レーザ素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-171758   Applicant：富士電機株式会社

Cited by examiner (1)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-094239   Applicant：松下電器産業株式会社