酸化物薄膜の製造方法、メモリ素子の製造方法及び圧電体素子の製造方法並びにこれらの製造方法により製造される酸化物薄膜、メモリ素子及び圧電体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：稲葉良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999343439
Publication number (International publication number)：2001158607
Application date： Dec. 02, 1999
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】容易に微結晶を得ることができる酸化物薄膜の製造方法を提供すること、これを利用したメモリ素子の製造方法及び圧電体素子の製造方法を提供すること、並びにこれらの方法により製造される酸化物薄膜、メモリ素子及び圧電体素子を提供すること。【解決手段】酸化物を形成し得る金属元素を含む有機金属化合物の溶液を出発原料とし、該溶液を基板上に塗布して乾燥した後、仮焼成を行い、次いで本焼成を行うことにより酸化物薄膜を成膜するに際し、前記仮焼成を、前記有機金属化合物に対して不活性である雰囲気下で行う。前記不活性である雰囲気としては、窒素雰囲気が特に好適である。前記酸化物薄膜の製造方法を用いてメモリ素子の形成を行う。前記酸化物薄膜の製造方法を用いて圧電体素子の形成を行う。

Claim (excerpt)：

酸化物を形成し得る金属元素を含む有機金属化合物の溶液を出発原料とし、該溶液を基板上に塗布して乾燥した後、仮焼成を行い、次いで本焼成を行うことにより酸化物薄膜を成膜するに際し、前記仮焼成を、前記有機金属化合物に対して不活性である雰囲気下で行うことを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。

IPC (9)：

C01B 13/32 , C01G 25/00 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 41/09 , H01L 41/24 , H01L 41/22

FI (7)：

C01B 13/32 , C01G 25/00 , H01L 27/10 451 , H01L 29/78 371 , H01L 41/08 U , H01L 41/22 A , H01L 41/22 Z

F-Term (24)：

4G042DA02 , 4G042DB11 , 4G042DB12 , 4G042DC03 , 4G042DD02 , 4G042DE08 , 4G042DE09 , 4G042DE14 , 4G048AA03 , 4G048AB02 , 4G048AC01 , 4G048AD02 , 4G048AE08 , 5F001AA17 , 5F001AD12 , 5F001AG01 , 5F001AG30 , 5F083FR06 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F101BA62 , 5F101BD02 , 5F101BH01 , 5F101BH16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平4-170304
特開平4-042812
強誘電体ゲートメモリ、これに用いる強誘電体薄膜の形成方法およびこの形成方法に用いる前駆体溶液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-013047 Applicant：沖電気工業株式会社, 株式会社豊島製作所

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