Pat
J-GLOBAL ID：200903099590912184

インダクタ

Inventor：
滝川 久美子

About 滝川 久美子

, 
田中 聡

About 田中 聡


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998249306
Publication number (International publication number)：2000077610
Application date： Sep. 03, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、高周波帯で用いるオンチップインダクタの低損失化を目的とする。【解決手段】 シリコン基板を分割する溝と、その溝に充填する絶縁体を有し、その上に螺旋状の配線層によりインダクタを構成する。溝に充填した絶縁体で基板の絶縁性を向上することができ、インダクタから基板への高周波電流リークを減少させてオンチップインダクタの低損失化を図る。
Claim (excerpt)：
複数の溝を有する半導体基板と、該溝に充填された絶縁体と、該絶縁体上に形成された螺旋状の配線層を有することを特徴とするインダクタ。
IPC (3)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01F 17/00
FI (2)：
H01L 27/04 L ,  H01F 17/00 B
F-Term (10)：
5E070AA01 ,  5E070CB12 ,  5E070CB20 ,  5F038AZ04 ,  5F038CD18 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 集積回路のための導電体
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-542247   Applicant：テレフオンアクチーボラゲツトエルエムエリクソン
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-123384   Applicant：株式会社日立製作所
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-341515   Applicant：日本電気株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM