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J-GLOBAL ID：200903099622809658

紫外線を電力に変換する光電池及びその製造方法

Inventor： 外岡 和彦 ,  阪東 寛 ,  相浦 義弘 ,  川中 浩史
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002127998
Publication number (International publication number)：2003324206
Application date： Apr. 30, 2002
Publication date： Nov. 14, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 紫外線を電力に変換する半導体pn接合を利用した太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】 エネルギーバンドギャップが3eV以上のpn接合を形成する半導体層からなり、銅アルミ酸化物、銅ガリウム酸化物、銅インジウム酸化物、銅クロム酸化物、銅スカンジウム酸化物、銅イットリウム酸化物、 銀インジウム酸化物、ストロンチウム銅酸化物から選ばれるp型半導体層と、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、 チタン酸ストロンチウム、酸化亜鉛、窒化ガリウム、銅インジウム酸化物から選ばれるn型半導体層を用いてpn接合を基板の上に形成し、p型層及びn型層に、リード線を設けたことを特徴とする光電池。

Claim (excerpt)：

エネルギーバンドギャップが3eV以上のpn接合を形成する半導体層からなり、銅アルミ酸化物、銅ガリウム酸化物、銅インジウム酸化物、銅クロム酸化物、銅スカンジウム酸化物、銅イットリウム酸化物、 銀インジウム酸化物、ストロンチウム銅酸化物から選ばれるp型半導体層と、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、 チタン酸ストロンチウム、酸化亜鉛、窒化ガリウム、銅インジウム酸化物から選ばれるn型半導体層を用いてpn接合を基板の上に形成し、p型層及びn型層に、リード線を設けたことを特徴とする光電池。

F-Term (8)：

5F051AA10 ,  5F051AA20 ,  5F051CB13 ,  5F051DA03 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03 ,  5F051GA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 半導体積層薄膜、電子デバイスおよびダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-030000   Applicant：ティーディーケイ株式会社, 川副博司
• 識別子付トークン
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-254725   Applicant：株式会社三陽電機製作所
• 特開平4-325405
  
• ケミカルプロセスによるCuAlO2薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-301840   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 臭いセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-151325   Applicant：株式会社三陽電機製作所
• 導電性銅アルミ酸化物の溶液法による製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-062528   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-175040   Applicant：ティーディーケイ株式会社, 川副博司

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• P-type electrical conduction in transparent thin films of CuAlO2