発光素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：木村満 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001008617
Publication number (International publication number)：2002217453
Application date： Jan. 17, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：

【要約】【課題】シリコン基板上に結晶性の良好な発光機能層を形成でき、駆動電圧を低減することができる発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】発光素子1は、シリコン基板5と、シリコン基板5上に形成され、ガリウムとインジウムとを含む窒化アルミニウム層6と、窒化アルミニウム層6上に形成され、ガリウムとインジウムとを含む反応源供給層7と、反応源供給層7上に形成された発光機能層8とを備えている。そして、窒化アルミニウム層6は、反応源供給層7から拡散されるガリウム及びインジウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成されている。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成され、ガリウムとインジウムとを含む窒化アルミニウム層と、前記窒化アルミニウム層上に形成され、ガリウムとインジウムとを含む第1窒化物系化合物半導体層と、前記第1窒化物系化合物半導体層上に形成され、発光機能を有する第2窒化物系化合物半導体層と、を備える、ことを特徴とする発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 21/22

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01L 21/22 C

F-Term (23)：

5F041AA24 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA09 , 5F045DA53 , 5F045EB13 , 5F045EE12 , 5F045HA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-335255 Applicant：天野浩, 赤崎勇, パイオニア株式会社, 豊田合成株式会社
発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-285109 Applicant：住友化学工業株式会社
半導体構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-084934 Applicant：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社

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