半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994286906
Publication number (International publication number)：1996148679
Application date： Nov. 21, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】微細化されたMISFETの寄生抵抗、寄生容量を低減し、駆動能力の向上、高速化を実現する。【構成】 nチャネル型MISFETQnは、ゲート絶縁膜5を介してp- 型ウエル2の主面上に形成されたゲート電極6と、p- 型ウエル2に形成された高不純物濃度のn+ 型半導体領域11と、このn+ 型半導体領域11を取り囲むように形成されたn型半導体領域12と、このn型半導体領域12とゲート電極6の下部のチャネル領域との間に形成された低不純物濃度のn- 型半導体領域8とで構成され、n型半導体領域12の不純物濃度は、高不純物濃度のn+ 型半導体領域11と低不純物濃度のn- 型半導体領域8のほぼ中間程度に設定される。

Claim (excerpt)：

MISFETを有する半導体集積回路装置であって、前記MISFETは、第1導電型の半導体基板の主面上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板の主面に設けられた第2導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域を取り囲むように設けられ、前記第1半導体領域よりも不純物濃度の低い第2導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域と前記ゲート電極の下部のチャネル領域との間に設けられ、前記第2半導体領域よりも不純物濃度の低い第2導電型の第3半導体領域とを備えていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (9)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/8244 , H01L 27/11 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5)：

H01L 29/78 301 L , H01L 27/08 321 E , H01L 27/10 381 , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

特開平2-310931
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-080827 Applicant：株式会社東芝
特開平2-219237

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