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J-GLOBAL ID：200903099876041199

単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板

Inventor： 元木 健作 ,  笠井 仁 ,  岡久 拓司
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006306611
Publication number (International publication number)：2007084435
Application date： Nov. 13, 2006
Publication date： Apr. 05, 2007
Summary：

【課題】貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないGaN基板の製造方法およびGaN基板を提供する。 【解決手段】基板の上にGaN単結晶を気相成長させ、気相成長でできたGaN単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。転位は成長方向に伸びるので、成長方向と平行に結晶を切ると転位延長方向と平行にスライスすることになる。スライスした基板においては、転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。さらにこれを種結晶としてGaN成長させる。表面の転位密度が低いので、2度目に成長したGaNはさらに低転位になる。これもGaN基板とすることができる。 【選択図】図10

Claim (excerpt)：

HVPE法、MOCVD法、有機金属塩化物気相成長法のいずれかの成長法で成長したGaN単結晶であって、GaN単結晶の成長における成長方向と平行な面でスライス加工することを特徴とする単結晶GaN基板の製造方法。

IPC (1)：

C30B 29/38

FI (1)：

C30B29/38 D

F-Term (9)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077FG16 ,  4G077HA12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特願平9-298300号公報
  
• 特願平10-9008号公報
  
• 特願平10-102546号公報
  
• 単結晶GaNの結晶成長方法及び単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-273882   Applicant：住友電気工業株式会社

Cited by examiner (3)

• 半導体基板および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-145199   Applicant：ソニー株式会社
• 窒化ガリウム系半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-292684   Applicant：株式会社東芝
• GaN単結晶基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-183446   Applicant：住友電気工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 昇華法によるバルクGaNの結晶成長および物性評価