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J-GLOBAL ID：200903099880963050

ポリマ導波路及びその製造方法

Inventor：
井本 克之

About 井本 克之


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001115660
Publication number (International publication number)：2002311262
Application date： Apr. 13, 2001
Publication date： Oct. 23, 2002
Summary：
【要約】【課題】 低損失で半田実装に耐えうるポリマ導波路及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコーン化合物と分岐型ポリシラン化合物とを有機溶剤に溶かした高屈折率のポリマ材料溶液を低屈折率の下部クラッド層5上に塗布し、ポリマ材料溶液を180°C以上、230°C以下の温度で熱処理してポリマ膜3を形成し、ポリマ膜3の上に低屈折率のシリコーン化合物を塗布し、シリコーン化合物を180°C以上、230°C以下の温度で熱処理して硬化させて上部クラッド層4を形成し、上部クラッド層4の上からフォトマスクを介して紫外線を照射して略矩形断面形状の高屈折率のコア層1-1〜1-3を形成すると共にコア層1-1〜1-3の両側に低屈折率の側面クラッド層2-1〜2-4を形成することにより、低損失で半田実装に耐えうるポリマ導波路が得られる。
Claim (excerpt)：
低屈折率の下部クラッド層と、該下部クラッド層上に形成され、所定量のシリコーン化合物を含有する分岐型ポリシラン化合物が180°C以上、230°C以下の温度で熱処理された高屈折率のポリマ膜からなるコア層と、該コア層の両側のポリマ膜に紫外線が照射されて低屈折率化された側面クラッド層と、上記コア層及び上記側面クラッド層の上に形成された低屈折率のシリコーン化合物からなる上部クラッド層とを備えたことを特徴とするポリマ導波路。
IPC (2)：
G02B 6/12 ,  G02B 6/13
FI (2)：
G02B 6/12 N ,  G02B 6/12 M
F-Term (9)：
2H047KA01 ,  2H047KA04 ,  2H047PA02 ,  2H047PA22 ,  2H047PA28 ,  2H047QA05 ,  2H047TA00 ,  2H047TA01 ,  2H047TA36
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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