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J-GLOBAL ID：201002218825420175   Reference number：10A0133844

Substrate Temperature Dependence of the Photoresist Removal Rate Using Atomic Hydrogen Generated by a Hot-Wire Tungsten Catalyst

ホットワイヤタングステン触媒により生成された原子水素を用いたフォトレジスト除去速度の基板温度依存性

Author (5)： YAMAMOTO Masashi (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  MARUOKA Takeshi (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  KONO Akihiko (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  HORIBE Hideo (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  UMEMOTO Hironobu (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 49  Issue： 1,Issue 1  Page： 016701.1-016701.6  Publication year： Jan. 25, 2010 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photoresist ,  *Tungsten ,  catalyst ,  line ,  Hydrogen ,  substrate temperature ,  *activation energy ,  Arrhenius equation ,  *hot wire ,  distance dependence ,  *atomic hydrogen
Semi thesaurus term： *removal velocity ,  *原子水素

JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Other catalysts  (CB06123Z)

Reference (27)：

• A. Izumi and H. Matsumura: Jpn. J. Appl. Phys.41(2002)4639.
• J. N. Smith, Jr. and W. L. Fite: J. Chem. Phys.37(1962)898.
• T. W. Hickmott: J. Chem. Phys.32(1960)810.
• J. I. Pankove and N. M. Johnson: Hydrogen in Semiconductors (Academic Press, San Diego, CA, 1991) Semiconductors and Semimetals, Vol.34.
• R. Z. Bachrach and R. D. Bringans: J. Vac. Sci. Technol. B 1(1983)142.

Terms in the title (6)： ホットワイヤ ,  タングステン触媒 ,  原子水素 ,  フォトレジスト ,  除去速度 ,  温度依存性