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J-GLOBAL ID：201002240245990549   Reference number：10A0493229

Fabrication of Atomically Flat ScAlMgO₄ Epitaxial Buffer Layer and Low-Temperature Growth of High-Mobility ZnO Films

原子的平坦ScAlMgO₄エピタクシー緩衝層の作成と高移動度ZnO膜の低温成長

Author (11)： KATASE Takayoshi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  NOMURA Kenji ,  OHTA Hiromichi ,  OHTA Hiromichi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YANAGI Hiroshi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KAMIYA Toshio (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KAMIYA Toshio ,  HIRANO Masahiro (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  HIRANO Masahiro ,  HOSONO Hideo (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  HOSONO Hideo
Material： Crystal Growth & Design  (Cryst Growth Des)
Volume： 10  Issue： 3  Page： 1084-1089  Publication year： Mar. 2010 
JST Material Number： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *oxide ,  *scandium compound ,  *aluminum compound ,  *magnesium compound ,  single crystal ,  thin film ,  *epitaxy ,  yttrium oxide ,  zirconium oxide ,  substrate (plate) ,  *zinc oxide ,  surface steps ,  screw dislocation ,  *Hall mobility ,  very low temperature ,  anomalous Hall effect ,  ablation ,  buffer layer

JST classification (2)： Solid-solid interface  (CB12060M) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 原子 ,  平坦 ,  エピタクシー ,  緩衝層 ,  高移動度 ,  ZnO ,  低温成長