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J-GLOBAL ID：201002243794149715   Reference number：10A0490870

Continuous Wave Operation of Thin Film Lateral Current Injection Lasers Grown on Semi-Insulating InP Substrate

半絶縁性InP基板上に成長させた薄膜横電流注入レーザの連続波動作

Author (5)： OKUMURA Tadashi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ITO Hitomi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KONDO Daisuke (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NISHIYAMA Nobuhiko (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ARAI Shigehisa (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 49  Issue： 4,Issue 1  Page： 040205.1-040205.3  Publication year： Apr. 25, 2010 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *injection (pour) ,  indium phosphide ,  semiconductor material ,  *cw laser ,  *gallium indium arsenide phosphide ,  quantum efficiency ,  electric current ,  optical waveguide ,  optical resonator ,  threshold current
Semi thesaurus term： *current injection ,  internal quantum efficiency

JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Reference (15)：

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• G. Chen, H. Chen, M. Haurylau, N. A. Nelson, D. H. Albonesi, P. M. Fauchet, and E. G. Friedman: Integration 40(2007)434.
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• T. Okamoto, N. Nunoya, Y. Onodera, S. Tamura, and S. Arai: Electron. Lett.37(2001)1455.

Terms in the title (7)： 半絶縁性 ,  InP ,  成長 ,  薄膜 ,  電流注入 ,  レーザ ,  連続波