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J-GLOBAL ID：201002278030938845   Reference number：10A0328639

Fabrication Process of Carbon Nanotube Field Effect Transistors Using Atomic Layer Deposition Passivation for Biosensors

バイオセンサのための原子層堆積不動態被膜を用いたカーボンナノチューブ電界効果トランジスタの作製工程

Author (6)： NAKASHIMA Yasuhiro (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OHNO Yutaka (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KISHIMOTO Shigeru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OKOCHI Mina (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HONDA Hiroyuki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIZUTANI Takashi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (J Nanoscience Nanotechnology)
Volume： 10  Issue： 6  Page： 3805-3809  Publication year： Jun. 2010 
JST Material Number： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *biosensor ,  *carbon nanotube ,  *FET ,  *hafnium oxide ,  *oxide film ,  chemical vapor deposition ,  *monoatomic layer ,  passivation ,  plasma CVD ,  *gate dielectric film

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： バイオセンサ ,  原子層堆積 ,  不動態被膜 ,  カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ ,  作製