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J-GLOBAL ID：201003005552816852

微細構造体の製造方法

Inventor：
多田 靖彦

About 多田 靖彦

, 
吉田 博史

About 吉田 博史


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (2)： 井上 学 ,  戸田 裕二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008218959
Publication number (International publication number)：2010056257
Application date： Aug. 28, 2008
Publication date： Mar. 11, 2010
Summary：
【課題】 基板上に離散的に配置した化学パターンに対して自己組織化により化学的パターンを補間し、長距離秩序性に優れ、低欠陥の相分離構造を発現させる方法を提供する。【解決手段】 少なくとも第1セグメントおよび第2セグメントを有する高分子ブロック共重合体を含む高分子層を基板表面に配置する第1段階と、高分子層をミクロ相分離させ、第1セグメントを成分にする連続相とこの連続相の貫通方向に配列し第2セグメントを成分にするミクロドメインとから形成される構造を発現させる第2段階とを有し、基板は、ミクロドメインが形成される位置に離散的に配置された基板表面とは化学的性質の異なるパターン部材を有し、第1段階で配置する高分子層の厚みtと、高分子ブロック共重合体が形成するミクロドメインの固有周期dの関係が、(m+0.3)×d<t<(m+0.7)×dであり、mが0以上の整数であることを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
少なくとも第1セグメントおよび第2セグメントを有する高分子ブロック共重合体を含む高分子層を基板表面に配置する第1段階と、 前記高分子層をミクロ相分離させ、前記第1セグメントを成分にする連続相とこの連続相の貫通方向に配列し前記第2セグメントを成分にするミクロドメインとから形成される構造を発現させる第2段階と、 を有する微細構造体の製造方法において、 前記基板は、前記ミクロドメインが形成される位置に離散的に配置された該基板表面とは化学的性質の異なるパターン部材を有し、 前記第1段階で配置する前記高分子層の厚みtと、前記高分子ブロック共重合体が形成するミクロドメインの固有周期dの関係が、 (m+0.3)×d<t<(m+0.7)×d であり、mが0以上の整数であることを特徴とする微細構造体の製造方法。
IPC (1)：
H01L 21/306
FI (1)：
H01L21/302 105A
F-Term (11)：
4J026HA06 ,  4J026HB11 ,  4J026HD06 ,  4J026HD11 ,  4J026HE01 ,  5F004AA09 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB23 ,  5F004EA40
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • USP6,746,825,B2
  • USP6,926,953,B2
Cited by examiner (6)
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