電子放出体および電子放出体を備えた電界放射装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (2)：橋本剛 , 鵜澤英久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009003713
Publication number (International publication number)：2010056062
Application date： Jan. 09, 2009
Publication date： Mar. 11, 2010
Summary：

【課題】炭素膜構造を有する電界放射電子の放射体において、局部的な電界集中を抑制し、熱劣化に伴う電流劣化や放電現象を起こらないようにする。また、電子の放出が分散することを抑制する。さらに、放射体を適用した電界放射装置において所望の機能を発揮し、より実用的な製品を提供する。【解決手段】電子放出体は、プラズマCVD法により基板7に形成された炭素膜構造10の外周側に、ガード電極13を備える。このガード電極13は、炭素膜構造10の成膜方向に凸の曲面部(成膜方向とは反対側に湾曲した曲面部)13aを有し、曲面部13aにおいてガード電極13外周側の曲率半径R1が炭素膜構造側の曲率半径R2以上のものを適用する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板表面に炭素膜構造が形成された電子放出体であって、前記炭素膜構造は、グラフェンシートが多層に重なって内部中空となり、かつ、先端に向けて半径が小さくなる尖頭形状が複数個分散して形成され、前記炭素膜構造の外周側に、その炭素膜構造の成膜方向に凸の曲面部を有し炭素膜構造および/又は基板と同電位のガード電極を設けたことを特徴とする電子放出体。

IPC (1)：

H01J 1/304

FI (1)：

H01J1/30 F

F-Term (9)：

5C135AA15 , 5C135AB08 , 5C135AC03 , 5C135EE13 , 5C135EE15 , 5C135HH05 , 5C135HH16 , 5C135HH17 , 5C135HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

炭素膜および炭素膜構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-341254 Applicant：ダイヤライトジャパン株式会社, 平木昭夫, 羽場方紀
直流プラズマ成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-341253 Applicant：ダイヤライトジャパン株式会社, 平木昭夫, 羽場方紀
電子放出素子及び電子放出素子の製造方法及び電子源及び画像形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-280352 Applicant：キヤノン株式会社

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Cited by examiner (5)

電子放出素子及び電子放出素子の製造方法及び電子源及び画像形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-280352 Applicant：キヤノン株式会社
電界電子放出装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-265044 Applicant：株式会社ノリタケカンパニーリミテド, 財団法人ファインセラミックスセンター
電子放出素子およびその製造方法、ならびにこれを用いた画像表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-217317 Applicant：松下電器産業株式会社

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