SnO2ガスセンサの製造方法と、貴金属ナノ粒子を担持したSnO2の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：塩入明 , 塩入みか
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008194402
Publication number (International publication number)：2010032343
Application date： Jul. 29, 2008
Publication date： Feb. 12, 2010
Summary：

【構成】 SnO2の水性ゾルに、SnO2へ配位する少なくとも2個の配位子と、貴金属へ配位する少なくとも2個の配位子とを備えたキレート化合物を添加し、キレート化合物をSnO2に配位させる。有機化合物を配位した貴金属のナノ粒子を有機分散媒に分散させたゾルと、キレート化合物を配位させたSnO2の水性ゾルとを接触させ、貴金属のナノ粒子にキレート化合物を配位させることにより、ゾル中のSnO2粒子に貴金属のナノ粒子を担持させ、焼成してSnO2ガスセンサとする。【効果】 SnO2に貴金属のナノ粒子を効率的に担持させることができる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

SnO2の水性ゾルに、SnO2へ配位する少なくとも2個の配位子と、貴金属へ配位する少なくとも2個の配位子とを備えたキレート化合物を添加し、該キレート化合物をSnO2に配位させる表面修飾ステップと、有機化合物を配位した貴金属のナノ粒子を有機分散媒に分散させたゾルと、キレート化合物を配位させたSnO2の水性ゾルとを接触させ、貴金属のナノ粒子にキレート化合物を配位させることにより、ゾル中のSnO2粒子に貴金属のナノ粒子を担持させる担持ステップと、貴金属のナノ粒子を担持したSnO2粒子を焼成する焼成ステップ、とを実行するSnO2ガスセンサの製造方法。

IPC (2)：

G01N 27/12 , G01N 27/16

FI (3)：

G01N27/12 M , G01N27/12 C , G01N27/16 B

F-Term (29)：

2G046AA05 , 2G046AA11 , 2G046AA19 , 2G046BA01 , 2G046BA06 , 2G046BB02 , 2G046BB04 , 2G046BC03 , 2G046BE03 , 2G046DB05 , 2G046DC13 , 2G046EA02 , 2G046EA04 , 2G046EA08 , 2G046FB02 , 2G046FC06 , 2G046FE29 , 2G046FE31 , 2G046FE34 , 2G046FE35 , 2G046FE38 , 2G046FE39 , 2G060AA02 , 2G060AB11 , 2G060AE19 , 2G060AF07 , 2G060BA03 , 2G060BB04 , 2G060JA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

SnO2ガスセンサの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-244356 Applicant：フィガロ技研株式会社

Cited by examiner (4)

酸化錫系ガスセンサの製造方法及び酸化錫系ガスセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-194474 Applicant：学校法人立命館
SnO2ガスセンサの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-244356 Applicant：フィガロ技研株式会社
ガスセンサチップ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-100079 Applicant：新コスモス電機株式会社, 財団法人新産業創造研究機構, 日本板硝子株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Deposition of Pd onto SnO2 nanoparticles-based gas sensors using a Pd complex as the precursor

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