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J-GLOBAL ID:200903088022970178

ガスセンサチップ及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 北村 修一郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005100079
Publication number (International publication number):2005315874
Application date: Mar. 30, 2005
Publication date: Nov. 10, 2005
Summary:
【課題】 ガス検知感度が良好なガスセンサチップ、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板11の一方の面に電極12,13を設け、基板11の一方の面と電極12,13の表面とにセラミックスの被覆層14を形成したガスセンサチップであって、セラミックスの粒子径を8〜30nmとし、また、その製造方法として、基板11の一方の面に電極12,13を設ける工程と、基板11の一方の面及び電極12,13の表面に液相析出法によるセラミックスの被覆層14を形成する工程とを含むものとする。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
基板の一方の面に電極を設け、前記基板の一方の面と前記電極の表面とにセラミックスの被覆層を形成したガスセンサチップであって、 前記セラミックスの粒子径が8〜30nmであるガスセンサチップ。
IPC (1):
G01N27/12
FI (2):
G01N27/12 C ,  G01N27/12 M
F-Term (21):
2G046AA02 ,  2G046AA11 ,  2G046AA13 ,  2G046AA18 ,  2G046AA19 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BC04 ,  2G046BC08 ,  2G046BE03 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA09 ,  2G046EA11 ,  2G046FB02 ,  2G046FC01 ,  2G046FE15 ,  2G046FE39 ,  2G046FE46 ,  2G046FE48
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (6)
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