Pat
J-GLOBAL ID:201003012391529323
III族窒化物結晶の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
長谷川 芳樹
, 諏澤 勇司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008223767
Publication number (International publication number):2010058990
Application date: Sep. 01, 2008
Publication date: Mar. 18, 2010
Summary:
【課題】窒素プラズマ合成法において、より大きな結晶粒度を有するIII族窒化物結晶、或いはバルク状のIII族窒化物結晶を生成できるIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】III族元素を含む融液7に対し窒素プラズマ及び水素プラズマを含む混合プラズマPを接触させることによってIII族窒化物結晶を生成する。この方法により、より大きな結晶粒度のIII族窒化物結晶、或いは肉眼にて視認可能な程度にまで成長したバルク状III族窒化物結晶を得ることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
III族元素を含む融液に対し窒素プラズマ及び水素プラズマを含む混合プラズマを接触させることによってIII族窒化物結晶を生成することを特徴とする、III族窒化物結晶の製造方法。
IPC (3):
C30B 29/38
, C30B 19/08
, C30B 30/00
FI (3):
C30B29/38 D
, C30B19/08
, C30B30/00
F-Term (11):
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CG01
, 4G077EG15
, 4G077EJ03
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077QA01
, 4G077QA56
, 4G077RA09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
液相成長法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-223894
Applicant:木村親夫, 株式会社ケミトロニクス
-
III-V族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-157041
Applicant:住友電気工業株式会社
-
III族窒化物結晶の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-003260
Applicant:住友電気工業株式会社, 森勇介
Return to Previous Page