III族窒化物結晶の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004003260
Publication number (International publication number)：2005194146
Application date： Jan. 08, 2004
Publication date： Jul. 21, 2005
Summary：

【課題】 III族窒化物結晶の成長速度を向上させたIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 III族元素とアルカリ金属とを含む融液7に窒素プラズマ8aを接触させることによって、III族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の製造方法である。また、融液7の表面と基板10の表面との間の最短距離Xが50mm以下であることが好ましいIII族窒化物結晶の製造方法である。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

III族元素とアルカリ金属とを含む融液に窒素プラズマを接触させることによって、III族窒化物結晶を成長させることを特徴とする、III族窒化物結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B29/38 , C30B11/12 , C30B19/02 , H01L21/208

FI (4)：

C30B29/38 D , C30B11/12 , C30B19/02 , H01L21/208 D

F-Term (24)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077CD05 , 4G077CG06 , 4G077EA05 , 4G077EB01 , 4G077EC04 , 4G077EH06 , 4G077EJ03 , 4G077HA02 , 4G077MB12 , 4G077MB35 , 4G077QA01 , 4G077QA12 , 4G077QA34 , 5F053AA03 , 5F053BB57 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053HH01 , 5F053LL02 , 5F053LL03 , 5F053RR05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

米国特許5868837号明細書
III族窒化物結晶および結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-175577 Applicant：株式会社リコー
結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-237200 Applicant：株式会社リコー

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Cited by examiner (3)

III-V族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-157041 Applicant：住友電気工業株式会社
結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-237195 Applicant：株式会社リコー
窒化物結晶の製造方法、混合物、液相成長方法、窒化物結晶、窒化物結晶粉末、および気相成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-112052 Applicant：日立電線株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Growth of a large GaN single crystal using the liquid phase epitaxy (LPE) technique

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