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J-GLOBAL ID:200903074564611076

III族窒化物結晶の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004003260
Publication number (International publication number):2005194146
Application date: Jan. 08, 2004
Publication date: Jul. 21, 2005
Summary:
【課題】 III族窒化物結晶の成長速度を向上させたIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 III族元素とアルカリ金属とを含む融液7に窒素プラズマ8aを接触させることによって、III族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の製造方法である。また、融液7の表面と基板10の表面との間の最短距離Xが50mm以下であることが好ましいIII族窒化物結晶の製造方法である。【選択図】 図3
Claim (excerpt):
III族元素とアルカリ金属とを含む融液に窒素プラズマを接触させることによって、III族窒化物結晶を成長させることを特徴とする、III族窒化物結晶の製造方法。
IPC (4):
C30B29/38 ,  C30B11/12 ,  C30B19/02 ,  H01L21/208
FI (4):
C30B29/38 D ,  C30B11/12 ,  C30B19/02 ,  H01L21/208 D
F-Term (24):
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CD05 ,  4G077CG06 ,  4G077EA05 ,  4G077EB01 ,  4G077EC04 ,  4G077EH06 ,  4G077EJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077MB12 ,  4G077MB35 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA34 ,  5F053AA03 ,  5F053BB57 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053LL02 ,  5F053LL03 ,  5F053RR05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (3)
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