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J-GLOBAL ID：201003014392800724

無電解Ni-Pめっき液および無電解Ni-Pめっき方法

Inventor： 新井 進
Applicant, Patent owner： 国立大学法人信州大学
Agent (2)： 綿貫 隆夫 ,  堀米 和春
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009065049
Publication number (International publication number)：2010215977
Application date： Mar. 17, 2009
Publication date： Sep. 30, 2010
Summary：

【課題】VGCF(商標)のような大きなサイズのCNTであっても、めっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Ni-Pめっき液およびめっき方法を提供する。【解決手段】無電解Ni-Pめっき液へのVGCF(商標)(市販の直径150nm前後、長さ10〜20μm程度のサイズの大きなカーボンナノチューブ)の分散剤として、トリメチルセチルアンモニウムクロリドを好適とするトリメチルセチルアンモニウム塩を用いためっき液、及びこのめっき液を用いてNi-Pめっきを施すめっき方法。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

トリメチルセチルアンモニウム塩からなる無電解Ni-Pめっき液へのCNTの分散剤。

IPC (1)：

C23C 18/16

FI (1)：

C23C18/16 Z

F-Term (15)：

4K022AA02 ,  4K022AA13 ,  4K022AA14 ,  4K022AA48 ,  4K022BA05 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022BA32 ,  4K022BA34 ,  4K022DA01 ,  4K022DB01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB04 ,  4K022DB08 ,  4K022EA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• めっき構造物とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-287668   Applicant：国立大学法人信州大学
• 電界放出型冷陰極、その製造方法及び真空マイクロ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-098026   Applicant：株式会社東芝
• 無電解複合ニッケル-リン合金めっき方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-225040   Applicant：上村工業株式会社, トヨタ自動車株式会社