めっき構造物とその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：綿貫隆夫 , 堀米和春
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006287668
Publication number (International publication number)：2007009333
Application date： Oct. 23, 2006
Publication date： Jan. 18, 2007
Summary：

【課題】金属中にカーボンナノチューブもしくはその誘導体を常温で混入させることのできるめっき構造物およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るめっき構造物は、めっき皮膜中に直径200nm以下、アスペクト比10以上のカーボンナノチューブもしくはその誘導体が均一に混入していることを特徴とする。めっき皮膜中に樹脂材を混入させることもできる。誘導体としては、カーボンナノチューブに種々の化学修飾を施したものやカーボンナノチューブをフッ素化したものが含まれる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

めっき皮膜中に直径200nm以下、アスペクト比10以上のカーボンナノチューブもしくはその誘導体が均一に混入していることを特徴とするめっき構造物。

IPC (3)：

C25D 15/00 , C25D 7/00 , C23C 18/52

FI (3)：

C25D15/00 A , C25D7/00 Z , C23C18/52 A

F-Term (17)：

4K022AA02 , 4K022AA42 , 4K022AA49 , 4K022BA05 , 4K022BA08 , 4K022BA14 , 4K022BA34 , 4K022DA01 , 4K024AA03 , 4K024AA09 , 4K024AA14 , 4K024AB12 , 4K024BB01 , 4K024BB11 , 4K024BB26 , 4K024BC01 , 4K024CA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (22)

特開平4-280854
CMP研磨方法及び半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-181545 Applicant：株式会社東芝
特開平4-158932

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