オンチップメモリセルおよびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：龍華国際特許業務法人
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009551901
Publication number (International publication number)：2010519781
Application date： Mar. 21, 2008
Publication date： Jun. 03, 2010
Summary：

トライゲートアクセストランジスタ(145)およびトライゲートコンデンサ(155)を含む、オンチップメモリセル。オンチップメモリセルは、既存のトライゲートロジックトランジスタの製造プロセスを完全に使用できる、立体トライゲートトランジスタおよびコンデンサ構造上の混載DRAMであってよい。本発明の実施形態は、フィンアスペクト比の高さとトライゲートトランジスタの本質的に優れた表面積とを用いて、反転モードのトライゲートコンデンサを有する汎用DRAMの「トレンチ」コンデンサの代替とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

トライゲートアクセストランジスタと、トライゲートコンデンサとを備える、オンチップメモリセル。

IPC (2)：

H01L 21/824 , H01L 27/108

FI (1)：

H01L27/10 671Z

F-Term (5)：

5F083AD02 , 5F083AD14 , 5F083JA02 , 5F083JA15 , 5F083PR05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

フィン・メモリ・セルおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-107565 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-090222 Applicant：川崎製鉄株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-224740 Applicant：株式会社東芝

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