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J-GLOBAL ID：200903079449574320

ダブルゲートFET素子及びその製造方法

Inventor：
李 宗昊

About 李 宗昊


Applicant, Patent owner：
李 宗昊

About 李 宗昊


Agent (1)： 河野 登夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002381448
Publication number (International publication number)：2003298051
Application date： Dec. 27, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：
【要約】【課題】 フローティングボディーの問題を解決し、素子の特性を向上させることができるダブルゲートFET素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】バルクシリコン基板2bに単結晶シリコンで塀状のアクティブ領域4を形成し、バルクシリコン基板2bの上表面からアクティブ領域4の一定高さまで第2酸化膜10を形成し、第2酸化膜10の上に形成されたアクティブ領域4の両側壁にゲート酸化膜12を形成し、アクティブ領域4の上表面にゲート酸化膜12以上の厚さの第1酸化膜6を形成し、第1、2酸化膜6、10上にゲート16を形成し、ゲート16に重なるアクティブ領域4を除くアクティブ領域4の両側にソース及びドレインを形成し、ソース、ドレイン及びゲートのコンタクト部にコンタクト領域(46)及び金属層(48)を形成する。
Claim (excerpt)：
バルクシリコン基板と、該バルクシリコン基板に接続され、バルクシリコン基板の上表面に単結晶シリコンで形成された塀状のアクティブ領域と、前記バルクシリコン基板の上表面から前記アクティブ領域の一定高さまで形成された第2酸化膜と、該第2酸化膜上の前記アクティブ領域の両側壁に形成されたゲート酸化膜と、前記アクティブ領域の上表面に、前記ゲート酸化膜の厚さ以上に形成された第1酸化膜と、前記第1及び第2酸化膜上に形成されるゲートと、前記ゲートと重なる前記アクティブ領域を除く前記アクティブ領域の両側に各形成されたソース及びドレインと、前記ソース、ドレイン及びゲートのコンタクト部に形成されたコンタクト領域及び金属層とを含んでなることを特徴とするダブルゲートFET素子。
IPC (4)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/417
FI (6)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 Y ,  H01L 29/50 M ,  H01L 29/44 L ,  H01L 29/44 S
F-Term (41)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD16 ,  4M104DD31 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  4M104HH18 ,  5F140AA21 ,  5F140AA34 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BB05 ,  5F140BC13 ,  5F140BC15 ,  5F140BE01 ,  5F140BE02 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF42 ,  5F140BH02 ,  5F140BH05 ,  5F140BH08 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK18 ,  5F140CE07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 米国特許第6433609号明細書
  • 米国特許第6413802号明細書
  • 米国特許第6391782号明細書
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Cited by examiner (11)
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