Pat
J-GLOBAL ID：201003024379339819

半導体装置

Inventor：
鎌田 厚

About 鎌田 厚


Applicant, Patent owner：
新日本無線株式会社

About 新日本無線株式会社


Agent (1)： 橋元 正
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008286093
Publication number (International publication number)：2010114285
Application date： Nov. 07, 2008
Publication date： May. 20, 2010
Summary：
【課題】ショットキー接合容量を低減し、高速動作が可能な横型SBD半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置が、基板と、基板の上に設けられる第1の半導体層と、第1の半導体層の上に設けられ、第1の半導体層より大きなエネルギーバンドギャップを有し、第1の半導体層と第2の半導体層との界面に2次元電子ガスを誘起する。また、半導体装置は、第2の半導体層とショットキー接触を有する第1の電極と、第2の半導体層とオーミック接触を有する第2の電極と、第1の電極の中央部の直下に設けられ、第1の電極の中央部の直下に分布する2次元電子ガスを消失させる半導体領域とを有する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板と、 前記基板の上に設けられた第1の半導体層と、 前記第1の半導体層の上に設けられ、前記第1の半導体層より大きなエネルギーバンドギャップを有し、前記第1の半導体層との界面に2次元電子ガスを誘起する第2の半導体層と、 前記第2の半導体層の上に設けられ、前記第2の半導体層とショットキー接触を有する第1の電極と、 前記第2の半導体層の上に、前記第1の電極と絶縁して設けられ、前記第2の半導体層とオーミック接触を有する第2の電極と、 前記第1の電極の中央部の直下に設けられ、前記第1の電極の中央部の直下に分布する前記2次元電子ガスを消失させる半導体領域と、 を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (2)：
H01L29/48 F ,  H01L29/48 D
F-Term (6)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM