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J-GLOBAL ID：200903085849455797

高電子移動度トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
佐藤 憲

About 佐藤 憲


Applicant, Patent owner：
サンケン電気株式会社

About サンケン電気株式会社


Agent (3)： 高橋 詔男 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007197356
Publication number (International publication number)：2008244419
Application date： Jul. 30, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Summary：
【課題】従来例に比較し容易に製造でき、閾値電圧の制御を高精度に行うことができるノーマリ+オフ動作に近いノーマリオン特性又はノーマリオフ特性を有する高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の高電子移動度トランジスタは、第1の化合物半導体からなる第1の層と、第1の層の上に、自発分極を有する第2の化合物半導体からなる第2の層と、上方から見て前記第2の層の間であって第1の層の上に、第2の化合物半導体を構成元素に含み、且つ第2の層よりも結晶性が低下している第3の層と、第3の層の上に形成されたゲート電極と、第2の層の上に形成されたドレイン電極と、上方から見たときにゲート電極をドレイン電極と挟むように第2の層の上に形成されたソース電極と、を有し、第1の層と第2の層との界面近傍に2次元キャリアガス層が生じている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1の化合物半導体からなる第1の層と、 該第1の層の上に、自発分極を有する第2の化合物半導体からなる第2の層と、 上方から見て前記第2の層の間であって前記第1の層の上に、前記第2の化合物半導体を構成元素に含み、且つ前記第2の層よりも結晶性が低下している第3の層と、 前記第3の層の上に形成されたゲート電極と、 第2の層の上に形成されたドレイン電極と、 上方から見たときに前記ゲート電極を前記ドレイン電極と挟むように第2の層の上に形成されたソース電極と、 を有し、 前記第1の層と前記第2の層との界面近傍に2次元キャリアガス層が生じている高電子移動度トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (1)：
H01L29/80 H
F-Term (25)：
5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GT02 ,  5F102GT08 ,  5F102HA02 ,  5F102HC00 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC10 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (4)
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