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J-GLOBAL ID:201003030406031058
可変抵抗素子並びにその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
政木 良文
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008309615
Publication number (International publication number):2010135541
Application date: Dec. 04, 2008
Publication date: Jun. 17, 2010
Summary:
【課題】 容易なプロセスで良好なエンデュランス特性を示し、プロセス耐性の高い可変抵抗素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1電極12と第2電極14の間に可変抵抗体13が狭持され、前記両電極の間に電圧パルスが印加されることで前記両電極間の電気抵抗が変化する可変抵抗素子であって、前記可変抵抗体13が、遷移金属を含む材料の酸化物で構成されており、前記第1電極12または前記第2電極14の一方または双方が、金属酸化物からなる金属酸化物電極で構成される。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
第1電極と第2電極の間に可変抵抗体が狭持され、前記両電極の間に電圧パルスが印加されることで前記両電極間の電気抵抗が変化する可変抵抗素子であって、
前記可変抵抗体が、遷移金属を含む材料の酸化物で構成されており、
前記第1電極または前記第2電極の一方または双方が、金属酸化物からなる金属酸化物電極で構成されることを特徴とする可変抵抗素子。
IPC (3):
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
FI (3):
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
F-Term (7):
5F083FZ10
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083PR12
, 5F083PR22
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (3)
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可変抵抗素子及びその製造方法、並びにその駆動方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-070322
Applicant:シャープ株式会社
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抵抗変化型素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-280855
Applicant:富士通株式会社, 国立大学法人名古屋工業大学
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抵抗スイッチングNiO層を含むメモリ素子の製造方法、およびそのデバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-286836
Applicant:アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, ウニヴェルシテ・ドゥ・シュド・トゥーロン-ヴァール
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